Este texto es una traducción de la versión oficial en inglés de este comunicado de prensa y se le proporciona a modo de referencia y únicamente para su comodidad. Consulte el texto original en inglés para obtener detalles específicos. En caso de que ambas versiones difieran, prevalecerá el contenido de la versión en inglés.

PARA SU PUBLICACIÓN INMEDIATA N.º 3417

TOKIO, 9 de junio de 2021 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKIO: 6503) ha anunciado hoy que el 30 de junio se producirá el lanzamiento de su módulo de transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) serie T de 2,0 kV para uso industrial, el primer módulo IGBT con 2 kV de tensión nominal del mundo¹. Este módulo es ideal para aumentar la eficiencia y reducir el tamaño de los convertidores de potencia de energías renovables, que tienen una alta demanda debido al uso cada vez mayor de las fuentes de suministro de energías renovables. El módulo se podrá ver del 15 al 16 de junio en la exposición virtual de 2021 de la APEC (Applied Power Electronics Conference).

1. 1Según el estudio realizado por Mitsubishi Electric, a fecha de 9 de junio de 2021

Módulo IGBT serie T de 2,0 kV para uso industrial (2,0 kV/400 A)

Características del producto

1. 1)El primer módulo IGBT con 2,0 kV de tensión nominal del mundo para lograr unos convertidores de potencia de 1500 V de CC más compactos
   • El primer módulo IGBT de 2 kV del mundo adecuado para convertidores de potencia de tensión nominal de 1500 V de CC, que son difíciles de diseñar utilizando módulos IGBT con la tensión nominal convencional de 1,7 kV.
   • Permite el desarrollo de convertidores de potencia de tensión nominal de 1500 V de CC más sencillos y pequeños, sin topología compleja, como la NPC de tres niveles (conexión tipo I)².
   1. 2Topología de circuito que consta de cuatro IGBT conectados en serie y dos diodos fijadores conectados al punto de voltaje neutro en una pata
2. 2)El módulo IGBT de 7.ª generación y los diodos RFC ayudan a reducir la pérdida de potencia de los convertidores de potencia
   • Adecuado para aplicaciones de alta tensión y pérdida de potencia baja, ya que el módulo IGBT más reciente (7.ª generación) con estructura CSTBT™ ³ y diodos RFC (Relax Field of Cathode)⁴ está optimizado para la alta tensión nominal.
   1. 3IGBT exclusivo de Mitsubishi Electric que utiliza el efecto acumulado del portador
   2. 4Diodo original de Mitsubishi Electric que optimiza la movilidad de electrones en el lado del cátodo

Los semiconductores de potencia que controlan la energía eléctrica de manera eficiente se utilizan cada vez en más aplicaciones y su demanda está aumentando, ya que se trata de dispositivos clave que ayudan a reducir la huella de carbono de la sociedad a nivel mundial. Por otra parte, es necesario que las redes eléctricas que emplean fuentes de energías renovables logren una conversión energética cada vez más eficiente mediante la implementación de tensiones de funcionamiento del sistema más elevadas. Para ello, se han desarrollado convertidores de potencia con una tensión nominal de 1500 V de CC, el límite superior de la directiva de baja tensión⁵. A raíz de esto, Mitsubishi Electric lanzará pronto su módulo IGBT serie T de 2,0 kV, apto para convertidores de potencia de 1500 V de CC, que ayudará a simplificar el diseño y la reducción de dichos convertidores, así como a aumentar su eficiencia.

1. 5Normas de seguridad comunes que permiten que los equipos eléctricos aprobados por cualquier país miembro de la UE se acepten en todos los demás países de la UE

Especificaciones

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