Este texto es una traducción de la versión oficial en inglés de este comunicado de prensa y se le proporciona a modo de referencia y únicamente para su comodidad. Consulte el texto original en inglés para obtener detalles específicos. En caso de que ambas versiones difieran, prevalecerá el contenido de la versión en inglés.

PARA SU PUBLICACIÓN INMEDIATA N.º 3397

TOKIO, 18 de febrero de 2021 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKIO: 6503) ha anunciado hoy que ha añadido dos nuevos transistores de alta movilidad de electrones de nitruro de galio (GaN-HEMT) de 13,75-14,5 GHZ (banda Ku) y 30 W (45,3 dBm) a su linea GaN HEM, diseñados para su utilización en estaciones terrestres de comunicación por satélite (SATCOM). Ambos productos, uno para la comunicación multiportadora¹ y el otro para la comunicación monoportadora², permiten aumentar la capacidad de transmisión de datos y reducir el tamaño de las estaciones terrestres. Las ventas comenzarán el 15 de marzo.

1. 1 Método de comunicación de voz, vídeo y datos que utiliza señales portadoras de varias frecuencias
2. 2 Método de comunicación que utiliza una señal portadora de frecuencia única

GaN-HEMT para estaciones terrestres de SATCOM en la banda Ku
MGFK45G3745 monoportadora de 30 W (izquierda) y MGFK45G3745A multiportadora de 30 W (derecha)

Los sistemas por satélite en la banda Ku se utilizan cada vez más para las comunicaciones de emergencia durante desastres naturales y para que las cadenas de televisión reciban noticias por satélite (SNG) en áreas remotas donde no hay redes de cable. Por otra parte, además de la creciente utilización de la comunicación convencional monoportadora, también ha aumentado la necesidad de la comunicación multiportadora para lograr una comunicación más rápida y de volúmenes más grandes, así como para ayudar a reducir el tamaño de las estaciones móviles como las SNG. Hasta ahora, Mitsubishi Electric ha presentado cinco GaN HEMT para estaciones terrestres de SATCOM multiportadoras y monoportadoras. Las dos nuevas GaN HEMT de 30 W permitirán flexibilizar el diseño de los amplificadores, incluso de los niveles de potencia nominal y el uso de controladores GaN. También ayudarán a reducir el tamaño de las estaciones terrestres y a lograr una comunicación por satélite más rápida y de mayor capacidad.

Programa de ventas

Características del producto

1. 1) IMD3 baja con amplias frecuencias de desplazamiento de hasta 400 MHz para SATCOM de gran capacidad

   El modelo MGFK45G3745A para comunicaciones multiportadoras presenta una IMD3 baja³ con amplias frecuencias de desplazamiento⁴ de hasta 400 MHz para comunicaciones por satélite de gran capacidad y alta velocidad.

   1. 3 Diferencia de frecuencia entre señales de dos tonos, utilizadas en las mediciones de IMD3.
   2. 4 Distorsión de la intermodulación de tercer orden, medida de la distorsión del amplificador en el caso de señales de dos tonos.


2. 2)La línea GaN HEMT ampliada permitirá reducir el tamaño de las estaciones terrestres de SATCOM

   Comunicación multiportadora (nuevo modelo en negrita)

   Modelo	MGFK45G3745A	MGFK48G3745A	MGFK50G3745A
   Frecuencia	13,75 GHz-14,5 GHz
   Potencia de salida en estado de saturación	45,3 dBm (30 W)	48,3 dBm (70 W)	50,0 dBm (100 W)
   Ganancia lineal	9,5 dB	11 dB	10 dB
   Frecuencia de desplazamiento con IMD3 = -25 dBc	Hasta 400 MHz	Hasta 400 MHz	Hasta 200 MHz

   Comunicación monoportadora (nuevo modelo en negrita)

   Modelo	MGFK45G3745	MGFK48G3745	MGFK50G3745	MGFG5H1503
   Frecuencia	13,75 GHz-14,5 GHz
   Potencia de salida en estado de saturación	45,3 dBm (30 W)	48,3 dBm (70 W)	50,0 dBm (100 W)	43,0 dBm (20 W)
   Ganancia lineal	9,5 dB	12 dB	10 dB	24 dB
   Frecuencia de desplazamiento con IMD3 = -25 dBc	Hasta 5 MHz	Hasta 5 MHz	Hasta 5 MHz	Hasta 5 MHz

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