Este texto es una traducción de la versión oficial en inglés de este comunicado de prensa y se le proporciona a modo de referencia y únicamente para su comodidad. Consulte el texto original en inglés para obtener detalles específicos. En caso de que ambas versiones difieran, prevalecerá el contenido de la versión en inglés.

PARA SU PUBLICACIÓN INMEDIATA N.º 3382

TOKIO, 5 de noviembre de 2020 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKIO: 6503) ha anunciado hoy el próximo lanzamiento de una nueva serie de transistores de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) de carburo de silicio (SiC). Se trata de los MOSFET de SiC de 1200 V de la serie N que se incluyen en el paquete TO-247-4¹ y permiten reducir en un 30 % la pérdida de conmutación en comparación con los productos existentes del paquete TO-247-3². La nueva serie ayudará a reducir el consumo energético y el tamaño físico de los sistemas de alimentación que requieren una conversión de alta tensión, como cargadores incorporados para vehículos eléctricos (VE) y sistemas de energía fotovoltaica. Los envíos de las muestras comenzarán en noviembre.

1. 1Separa el terminal conductor del terminal de fuente de alimentación, a diferencia de los paquetes convencionales de 3 terminales
2. 2Comunicado de prensa de Mitsubishi Electric del 16 de junio de 2020: https://www.MitsubishiElectric.com/news/2020/0616.html

Paquete TO-247-4 de MOSFET de SiC de 1200 V de la serie N

Características del producto

1. 1)El paquete de cuatro terminales ayuda a reducir el consumo energético y el tamaño físico de los sistemas de alimentación
   • El chip del MOSFET de SiC cuenta con una figura de mérito (FOM³) óptima de 1450 mΩ-nC y una alta tolerancia de encendido automático, todo ello incluido en el paquete TO-247-4, que además está equipado con un terminal conductor individual y un paquete convencional de 3 terminales.
   • Utiliza un paquete de cuatro terminales para reducir la inductancia parasitaria, un problema de la conmutación de alta velocidad. La eliminación de las caídas de tensión de fuente de puerta debido a las variaciones de corriente ayuda a reducir la pérdida de conmutación en aproximadamente un 30 % en comparación con los productos TO-247-3.
   • El uso de una frecuencia portadora más alta⁴ para accionar los nuevos semiconductores de potencia ayuda a reducir la pérdida de potencia de conmutación, lo que permite el uso de sistemas de refrigeración más pequeños y sencillos, además de reactores más pequeños y otros componentes periféricos. Esto ayuda a reducir el consumo energético y el tamaño físico de los sistemas de alimentación en general.
   1. 3Índice de rendimiento de los MOSFET de alimentación, calculado al multiplicar la resistencia en corriente por la carga puerta-drenaje (temperatura de unión de 100 °C). Los valores más bajos indican un mejor rendimiento.
   2. 4Frecuencia que determina el tiempo de encendido/apagado del elemento de conmutación en un circuito inversor.
2. 2)Seis modelos para diferentes aplicaciones, incluidos los modelos que cumplen con el estándar AEC-Q101
   • La nueva línea de productos incluye modelos que cumplen con el estándar AEC-Q101 del Consejo de electrónica automotriz (AEC) y se puede utilizar no solo en aplicaciones industriales como sistemas fotovoltaicos, sino también en aplicaciones de vehículos eléctricos.
   • La distancia de fuga (distancia más corta entre dos partes conductoras a lo largo de la superficie) entre el terminal de drenaje y el terminal de fuente es mayor que la de los productos del paquete TO-247-3, lo que permite una aplicación más flexible, incluso en instalaciones exteriores donde el polvo y la suciedad se acumulan fácilmente.

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