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PARA SU PUBLICACIÓN INMEDIATA N.º 3372

TOKIO, 15 de septiembre de 2020 – Mitsubishi Electric Corporation (TOKIO: 6503) ha anunciado hoy el próximo lanzamiento de los módulos de potencia Full-SiC (carburo de silicio) de segunda generación que presentan un chip SiC desarrollado recientemente para uso industrial. Se espera que las características de baja pérdida de potencia y el funcionamiento con una frecuencia portadora elevada¹ de los chips SiC-MOSFET (transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor) y SiC-SBD (diodo de barrera Schottky) en los módulos faciliten el desarrollo de equipos de potencia más eficaces, más pequeños y más ligeros en diversos sectores industriales. Las ventas comenzarán en enero de 2021.

1. 1 Frecuencia que determina el tiempo de encendido/apagado del elemento de conmutación en un circuito inversor

Características del producto

1. 1)Facilitará que los equipos industriales sean más eficientes desde el punto de vista energético, más pequeños y más ligeros
   • La tecnología de dopado del transistor de efecto de campo de unión (JFET)² reduce la resistencia en conducción en aproximadamente un 15 % comparada con la de los productos SiC convencionales³.
   • La reducción de la capacitancia de espejo⁴ permite una conmutación rápida y reduce la pérdida de conmutación.
   • Los chips SiC-MOSFET y SiC-SBD integrados ayudan a reducir la pérdida de potencia en aproximadamente un 70 % en comparación con los módulos convencionales IGBT de Silicio de Mitsubishi Electric.
   • La reducción de la pérdida de potencia y el funcionamiento con una frecuencia portadora elevada facilitarán el desarrollo de componentes externos más pequeños y ligeros, como los reactores y las enfriadoras.
   1. 2 Aumenta la densidad del dispositivo al incrementar la densidad de impurezas en el área JFET
   2. 3 Módulos SiC de primera generación de Mitsubishi Electric (con la misma potencia) para uso industrial
   3. 4 Capacitancia parásita entre la puerta y el drenaje de la estructura del MOSFET (Crss) que afecta al tiempo de conmutación
2. 2)El circuito de control en tiempo real (RTC) equilibra el rendimiento de cortocircuito y la baja resistencia en conducción
   • Tanto el rendimiento seguro de cortocircuito como las características de baja resistencia en conducción se consiguen con el circuito RTC5 para bloquear la corriente excesiva durante los cortocircuitos.
   • En caso de que ocurra un cortocircuito, bloquea la corriente excesiva desde un circuito de protección externo de forma segura a través de la supervisión de la señal de detección de cortocircuito.
   1. 5 Excepto los modelos FMF400BX-24B y FMF800DX-24B
3. 3)Disposición interna optimizada de los chips para una mejor disipación de calor
   • La colocación descentralizada y optimizada de los chips SiC-MOSFET y SiC-SBD dentro de los módulos ayuda a mejorar la disipación de calor, lo que permite el uso de enfriadoras más pequeñas o que carecen de ventilador.

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