Comunicados de prensa
Este texto es una traducción de la versión oficial en inglés de este comunicado de prensa y se le proporciona a modo de referencia, para su comodidad. Consulte el texto original en inglés para obtener detalles específicos. En caso de que ambas versiones difieran, prevalecerá el contenido de la versión en inglés.
PARA SU PUBLICACIÓN INMEDIATA N.º 3359
TOKIO, 11 de junio de 2020 - Mitsubishi Electric Corporation (Tokio: 6503) anunció hoy la compra de edificios y terrenos de Sharp Fukuyama Semiconductor Co., Ltd., una filial propiedad de Sharp Corporation, ubicada en Fukuyama, prefectura de Hiroshima, Japón. Las propiedades adquiridas servirán como centro de producción en el que Power Device Works de Mitsubishi Electric procesará obleas para la fabricación de semiconductores. Las nuevas instalaciones de producción comenzarán a funcionar en noviembre del próximo año y permitirán a Mitsubishi Electric expandir su negocio de dispositivos de alimentación.
La demanda de semiconductores, necesarios para controlar la energía eléctrica con eficiencia, aumenta rápidamente al tiempo que los esfuerzos para ahorrar energía y proteger el medio ambiente con medidas que ayuden a reducir los niveles de carbono, como por ejemplo, la actual electrificación de automóviles en todo el mundo.
Para satisfacer esta creciente demanda, Mitsubishi Electric comenzó a buscar posibles centros de producción. Finalmente, la empresa ha llegado a un acuerdo con Sharp Corporation para adquirir edificios y terrenos de Sharp Fukuyama Semiconductor.
Ubicación | Fukuyama, prefectura de Hiroshima, Japón |
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Estructura | Edificio de tres plantas (superficie total de 46 500 m2) |
Finalidad | Obleas de procesamiento para semiconductores |
Inversión | En torno a 20 mil millones de yenes |
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