Comunicados de prensa
Este texto es una traducción de la versión oficial en inglés de este comunicado de prensa y se le proporciona a modo de referencia, para su comodidad. Consulte el texto original en inglés para obtener detalles específicos. En caso de que ambas versiones difieran, prevalecerá el contenido de la versión en inglés.
PARA SU PUBLICACIÓN INMEDIATA N.º 3298
TOKIO, 2 de septiembre de 2019 – Mitsubishi Electric Corporation (TOKIO: 6503) ha anunciado hoy que, en colaboración con el Research Center for Ubiquitous MEMS and Micro Engineering del AIST (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Instituto Nacional de Ciencia y Tecnología Industrial Avanzada), ha desarrollado un transistor de alta movilidad de electrones de nitruro de galio (GaN-HEMT) en una estructura de varias células (diversas células de transistores dispuestas en paralelo) adherida directamente a un sustrato disipador térmico de diamante monocristalino con alta conductividad térmica. Se cree que es la primera vez que se logra adherir un GaN-HEMT de varias células directamente a un sustrato de diamante monocristalino.* El nuevo GaN-HEMT en diamante mejorará la eficiencia de potencia añadida de los amplificadores de alta potencia en estaciones base de comunicaciones móviles y sistemas de comunicaciones por satélite, lo que ayuda a reducir el consumo de energía. Mitsubishi Electric perfeccionará el GaN-HEMT en diamante antes de su lanzamiento comercial previsto para 2025.
Este logro de investigación se anunció por primera vez en la SSDM (International Conference on Solid State Devices and Materials, Conferencia Internacional sobre Materiales y Dispositivos de Estado Sólido) que se está celebrando en la Universidad de Nagoya (Japón) del 2 al 5 de septiembre.
Vista del nuevo GaN-HEMT en diamante desde arriba y estructura de célula
Vista transversal del nuevo GaN-HEMT en diamante
Mitsubishi Electric gestionó el diseño, la fabricación, la evaluación y el análisis del GaN-HEMT en diamante y el AIST desarrolló la tecnología de adhesión directa. Una parte de este logro se basa en los resultados obtenidos de un proyecto encargado por la NEDO (New Energy and Industrial Technology Development Organization, Organización de Desarrollo de Tecnologías Industriales y Nuevas Energías).
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