Comunicados de prensa

Mitsubishi Electric lanza un diodo de barrera Schottky de carburo de silicio de 1200 VEl nuevo diodo reduce la pérdida de potencia y el tamaño físico de los sistemas de alimentación

Este texto es una traducción de la versión oficial en inglés de este comunicado de prensa y se le proporciona a modo de referencia, para su comodidad. Consulte el texto original en inglés para obtener detalles específicos. En caso de que ambas versiones difieran, prevalecerá el contenido de la versión en inglés.

PARA SU PUBLICACIÓN INMEDIATA N.º 3272

TOKIO, 27 de marzo de 2019 – Mitsubishi Electric Corporation (TOKIO: 6503) ha anunciado hoy el lanzamiento de un nuevo diodo de barrera Schottky de carburo de silicio de 1200 V (SiC-SBD) que reduce la pérdida potencia y el tamaño físico de los sistemas de suministro energético destinados a infraestructuras y sistemas de energía fotovoltaica, entre otros. Los envíos de muestras comenzarán en junio de 2019, y las ventas, en enero de 2020.

Los diodos se expondrán en las ferias comerciales más importantes, que incluyen MOTORTECH JAPAN 2019 durante la TECHNO-FRONTIER 2019 en el complejo de Makuhari Messe, en Chiba, Japón, del 17 al 19 de abril; PCIM Europe 2019 en Núremberg, Alemania, del 7 al 9 de mayo; y PCIM Asia 2019 en Shanghái, China, del 26 al 28 de junio.

  • Paquete SiC-SBD TO-247 de 1200 V

  • Paquete SiC-SBD TO-247-2 de 1200 V

Características del producto

  1. 1) Carburo de silicio que ayuda a reducir la pérdida de potencia y el tamaño de los paquetes
    • La conversión de energía es más eficaz, con aproximadamente un 21 % menos de pérdida de potencia en comparación con los productos de silicio (Si).
    • Permite la conmutación de alta velocidad y el uso de componentes periféricos de menor tamaño, como los reactores.

  2. 2) Mayor fiabilidad gracias a la estructura de barrera de uniones Schottky (JBS)
    • Combina la barrera de Schottky con las uniones p-n.
    • La estructura de JBS ayuda a lograr una alta fiabilidad.

  3. 3) Ampliación de la línea para su uso en más aplicaciones
    • El paquete TO-247-2, que cuenta con una mayor distancia de espacio libre de aislamiento, se incorpora a la gama actual TO-247 con el fin de cubrir más aplicaciones, incluidas las relativas a bienes de consumo.
    • Cumple la especificación AEC-Q101 del Automotive Electronics Council en materia de uso en automóviles (solo el modelo BD20120SJ).

Programa de ventas

Serie Modelo Paquete Especificación Disponibilidad de muestras Lanzamiento
SiC-SBD
de 1200 V
BD10120P TO-247-2 1200 V/10 A Junio de 2019 Enero de 2020
BD20120P 1200 V/20 A
BD10120S TO-247 1200 V/10 A
BD20120S 1200 V/20 A
BD20120SJ AEC-Q101
de 1200 V/20 A
Abril de 2020

Nota

Tenga en cuenta que la precisión de los comunicados de prensa corresponde a la fecha de publicación, pero dichos comunicados están sujetos a modificaciones sin previo aviso.


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