PARA SU PUBLICACIÓN INMEDIATA N.º 3104

Este texto es una traducción de la versión oficial en inglés de este comunicado de prensa y se le proporciona a modo de referencia, para su comodidad. Consulte el texto original en inglés para obtener detalles específicos. En caso de que ambas versiones difieran, prevalecerá el contenido de la versión en inglés.

Mitsubishi Electric lanzará los módulos X-Series HVIGBT tipo LV100

La densidad de corriente superior contribuirá a aumentar la potencia en los sistemas de inversores

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TOKIO, 11 de mayo de 2017 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKIO: 6503) ha anunciado hoy el lanzamiento de dos nuevos módulos X-Series HVIGBT tipo LV100, disponibles de forma secuencial a partir de septiembre. Los módulos, que ofrecen la mayor densidad de energía disponible del mercado, permitirán aumentar la potencia y la eficiencia de los sistemas de inversores, además de disfrutar de configuraciones más flexibles y de mayor fiabilidad. Por otro lado, está previsto crear una gama adicional de módulos SiC. Los módulos HVIGBT de Mitsubishi Electric desempeñan un papel clave en el control de la conversión energética en sistemas electrónicos industriales para ferrocarriles, transmisión de energía y otras aplicaciones industriales de gran tamaño.

Los nuevos módulos se exhibirán en las ferias comerciales Power Conversion and Intelligent Motion (PCIM) Europe 2017 en Núremberg (Alemania) del 16 al 18 de mayo y PCIM Asia 2017 en Shanghái (China) del 27 al 29 de junio.

Módulo X-Series HVIGBT tipo LV100

Programa de ventas

Producto Modelo Especificación Envío
Módulo
X-Series HVIGBT
tipo LV100		 CM450DA-66X 3,3 kV/450 A/2 en 1 A partir de septiembre de 2017
CM600DA-66X 3,3 kV/600A/2 en 1

Características del producto

1)
Densidad de potencia líder en el sector para aumentar la capacidad
- Los chips IGBT de séptima generación con CSTBT y diodos RFC alcanzan una densidad de potencia máxima de 8,57 A/cm2 como módulo SI del sector (3,3 kV/600 A)
- Los tres terminales principales de CA propagan y ecualizan la densidad de corriente para aumentar la capacidad del inversor
2)
Sencilla conexión en paralelo para configuraciones y capacidades flexibles
-Se ha optimizado el diseño del terminal para facilitar el uso de configuraciones y capacidades de inversor flexibles y en paralelo
3)
Nueva estructura de paquetes para lograr fiabilidad adicional
- La integración de la placa de aislamiento y del disipador de calor aumenta el ciclo de vida térmico en casos de ciclos relativamente prolongados de temperatura de encapsulado
- La menor resistencia térmica contribuye a aumentar el ciclo de vida energético en casos de ciclos relativamente cortos de temperatura de chips

Tenga en cuenta que la precisión de las notas de prensa corresponde a la fecha de publicación, pero dichas notas están sujetas a modificaciones sin previo aviso.