PARA SU PUBLICACIÓN INMEDIATA N.º 3094

Este texto es una traducción de la versión oficial en inglés de este comunicado de prensa y se le proporciona a modo de referencia, para su comodidad. Consulte el texto original en inglés para obtener detalles específicos. En caso de que ambas versiones difieran, prevalecerá el contenido de la versión en inglés.

Mitsubishi Electric ampliará la línea de módulos HVIGBT de la serie X

Ocho nuevos productos contribuirán a ampliar la capacidad y reducir el número de inversores

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TOKIO, 5 de abril de 2017 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKIO: 6503) anunció hoy que ha desarrollado ocho nuevos módulos HVIGBT de la serie X en tres clases (3,3 kV, 4,5 kV y 6,5 kV) para inversores de menor tamaño y mayor capacidad en motores de tracción, transmisores de potencia de CC, gran maquinaria industrial y otros equipos de alta tensión y alta corriente. Los modelos se lanzarán de forma secuencial a comienzos de septiembre. Antes de su lanzamiento, los módulos se expondrán en las ferias comerciales más importantes de todo el mundo, entre las que se incluyen MOTORTECH JAPAN 2017 en Chiba (Japón) del 19 al 21 de abril; Power Conversion Intelligent Motion (PCIM) Europe 2017 en Núremberg (Alemania) del 16 al 18 de mayo y PCIM Asia 2017 en Shanghái (China) del 27 al 29 de junio.

Módulo HVIGBT de la serie X

Los módulos de alta potencia son esenciales para los sistemas de potencia que requieren una gran capacidad, alta fiabilidad y máxima eficiencia. El primer módulo HVIGBT de Mitsubishi Electric, que se comercializó en 1997, permitió desarrollar sistemas de convertidores de alta tensión de mayor capacidad y menor tamaño. El módulo HVIGBT de la serie X (6,5 kV/1000 A), que incluye un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de séptima generación y un diodo RFC (del inglés Relaxed Field of Cathode), se lanzó para sistemas de inversores en noviembre de 2015.

Características del producto

1)
La amplia gama de nuevos IGBT de alta tensión incluye capacidades energéticas líderes que contribuyen a la gran capacidad de los inversores
-Tres módulos de 3,3k V (un modelo de 1200 A y dos modelos de 1800 A), tres módulos de 4,5 kV (modelos de 900 A, 1350 A y 1500 A) y dos módulos de 6,5 kV (modelos de 600 A y 900 A)
-Dos módulos que ofrecen capacidades energéticas líderes del sector (1800 A en el módulo de 3,3 kV y 1500 A en el módulo de 4,5 kV) se unen a otro líder: el módulo de 6,5 kV existente (capacidad de 1000 A)
2)
IGBT de séptima generación y diodo RFC para inversores de menor tamaño
-El chip CSTBT*™ de séptima generación y el chip de diodos RFC reducen la pérdida de potencia en aproximadamente un 20 %
-El reducido tamaño de paquete del nuevo chipset, alrededor de un 33 % menor que su predecesor (misma tensión y corriente) permitirá contar con inversores de menor tamaño
-La temperatura de funcionamiento de 150 grados centígrados permite simplificar el sistema de refrigeración para contar con inversores de menor tamaño y mejorar el nivel de libertad en el diseño

* Construcción del chip IGBT original de Mitsubishi Electric que incorpora un efecto de almacenamiento de portadoras
** CM1200HC-66X de la serie X comparado con CM1200HC-66H de la serie H
3)
Estructura de paquete optimizada para inversores altamente fiables
-La nueva estructura interna del paquete logra una mayor vida útil a través de la disipación de calor mejorada y la resistencia a la humedad y al fuego

Programa de ventas

Modelo Tensión
de emisor-
colector		 Corriente
nominal
máxima		 Tensión
de aislamiento		 Dimensiones
(An×Pr×Al)		 Envío
CM1200HC-66X 3,3 kV 1200 A 6 kVrms 140 mm×130 mm×38 mm Desde
septiembre
de 2017
CM1800HC-66X 1800 A 6 kVrms 140 mm×190 mm×38 mm
CM1800HG-66X 1800 A 10 kVrms 140 mm×190 mm×48 mm
CM900HG-90X 4,5 kV 900 A 10 kVrms 140 mm×130 mm×48 mm
CM1350HG-90X 1350 A 10 kVrms 140 mm×190 mm×48 mm
CM1500HC-90XA 1500 A 6 kVrms 140 mm×190 mm×38 mm
CM600HG-130X 6,5 kV 600 A 10 kVrms 140 mm×130 mm×48 mm
CM900HG-130X 900 A 10 kVrms 140 mm×190 mm×48 mm

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