PARA SU PUBLICACIÓN INMEDIATA N.º 3085
Este texto es una traducción de la versión oficial en inglés de este comunicado de prensa y se le proporciona a modo de referencia, para su comodidad. Consulte el texto original en inglés para obtener detalles específicos. En caso de que ambas versiones difieran, prevalecerá el contenido de la versión en inglés.
Reduce la pérdida de potencia y el tamaño físico de los sistemas de alimentación
TOKIO, 1 de marzo de 2017 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKIO: 6503) ha anunciado hoy el lanzamiento del diodo de barrera Schottky de carburo de silicio (SiC-SBD) que incorpora una estructura de barrera de uniones Schottky (JBS) para reducir la pérdida de potencia y el tamaño físico de los sistemas de alimentación para aires acondicionados, sistemas de energía fotovoltaica y mucho más, efectivo de forma inmediata.
Serie | Modelo | Carcasa | Especificación | Envío |
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SiC-SBD | BD20060T | TO-220 | 20 A/600 V | 1 mar. 2017 |
BD20060S | TO-247 | 1 sep. 2017 |
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