PARA SU PUBLICACIÓN INMEDIATA N.º 3085

Este texto es una traducción de la versión oficial en inglés de este comunicado de prensa y se le proporciona a modo de referencia, para su comodidad. Consulte el texto original en inglés para obtener detalles específicos. En caso de que ambas versiones difieran, prevalecerá el contenido de la versión en inglés.

Mitsubishi Electric va a lanzar al mercado el diodo de barrera Schottky de carburo de silicio

Reduce la pérdida de potencia y el tamaño físico de los sistemas de alimentación

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TOKIO, 1 de marzo de 2017 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKIO: 6503) ha anunciado hoy el lanzamiento del diodo de barrera Schottky de carburo de silicio (SiC-SBD) que incorpora una estructura de barrera de uniones Schottky (JBS) para reducir la pérdida de potencia y el tamaño físico de los sistemas de alimentación para aires acondicionados, sistemas de energía fotovoltaica y mucho más, efectivo de forma inmediata.

SiC-SBD (BD20060T)

SiC-SBD (BD20060S)

Características del producto

1)
El carburo de silicio contribuye a un tamaño menor y un consumo reducido de energía
-Conversión de energía más eficaz con aproximadamente un 21 % menos de pérdida de potencia en comparación con los productos de silicio (Si)
-Permite la conmutación de alta velocidad y el uso de componentes periféricos de menor tamaño, como los reactores
2)
Mayor fiabilidad gracias a la estructura de barrera de uniones Schottky (JBS)
-Combina la barrera de Schottky con las uniones p-n
-La estructura de JBS ayuda a lograr una alta fiabilidad

Programa de ventas

Serie Modelo Carcasa Especificación Envío
SiC-SBD BD20060T TO-220 20 A/600 V 1 mar. 2017
BD20060S TO-247 1 sep. 2017

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