PARA PUBLICACIÓN INMEDIATA N.º 3018
Mitsubishi Electric desarrolla un nuevo módulo HVIGBT doble de la serie X
La última generación de módulos semiconductores de alta potencia adopta un paquete estandarizado para una mayor flexibilidad
TOKIO, 6 de abril de 2016 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKIO: 6503) ha anunciado hoy que ha desarrollado un módulo de potencia de última generación denominado nuevo módulo HVIGBT doble de la serie X para las aplicaciones de tracción y energía eléctrica en la industria pesada. El nuevo módulo ofrece una mayor densidad de potencia y eficiencia para los inversores, así como un paquete estandarizado que permite un diseño flexible de los sistemas de inversores.
Las muestras de la versión de 3,3 kV (LV100) del nuevo módulo doble estarán disponibles para su comercialización desde marzo de 2017. Les seguirán las versiones de 1,7 kV, 3,3 kV (HV100), 4,5 kV y 6,5 kV en ese orden a partir de 2018 en adelante. En el futuro, la empresa también planea introducir una versión inferior a la de 1,7 kV en la línea.
Los módulos se expondrán en las ferias comerciales más importantes, que incluyen MOTORTECH JAPAN 2016 durante la TECHNO-FRONTIER 2016 de Japón del 20 al 22 de abril; Power Conversion Intelligent Motion (PCIM) Europe 2016 en Núremberg, Alemania, del 10 al 12 de mayo, y PCIM Asia 2016 en Shanghái, China, del 28 al 30 de junio.
Paquete LV100 de aislamiento de 6 kV
Paquete HV100 de aislamiento de 10 kV
Los módulos de alta potencia son los dispositivos clave para el control de la conversión de energía de los sistemas electrónicos en una amplia gama de clases de potencia que van desde varios kilovatios hasta varios megavatios. Hasta ahora, los módulos con una tensión nominal máxima de hasta 6,5 kV y una corriente nominal máxima de varios miles de amperios se encontraban disponibles en el mercado.
El nuevo módulo HVIGBT doble satisfará la demanda de dispositivos semiconductores eficientes de alta densidad de potencia gracias a una gama de tensión y corriente nominales, lo que contribuirá a una mayor potencia de salida y eficiencia de los inversores mediante la adopción de la última séptima generación de IGBT y diodos RFC. Mientras tanto, las dimensiones del paquete estandarizado permitirán que los fabricantes de electrónica industrial simplifiquen el diseño y la protección de diversas fuentes para los inversores.
Características del producto
- 1)
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Contribución a una alta eficiencia energética y a una alta densidad de potencia
-La séptima generación de IGBT, que adopta diodos CSTBTTM y RFC, consigue una pérdida de potencia baja en los sistemas de inversores.
-Una tecnología de paquete mejorada y una inductancia parasitaria baja permiten un máximo rendimiento.
-Tres terminales principales de aire acondicionado en el paquete LV100 propagan e igualan la densidad de corriente, lo que contribuye a aumentar la capacidad del inversor. - 2)
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Un tamaño de marco común admite más capacidad y configuraciones de inversores
-Los módulos LV100 y HV100 tienen un diseño de paquete común.
-Las conexiones simples y estándar permiten un diseño óptimo del sistema y una amplia gama de corrientes nominales.
-La línea va desde 1,7 a 6,5 kV.
-Flexibilidad y escalabilidad mejoradas para la configuración del sistema. - 3)
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Contribución a una mayor eficiencia del diseño mediante la utilización de un nuevo paquete estandarizado
-Compatible con ubicaciones de terminal y accesorios de los productos de Infineon Technologies AG (Alemania).
| Modelo | Tipo de paquete |
Tensión de aislamiento |
Tensión de emisor-colector |
Corriente nominal máxima |
Conexión | Dimensiones | Disponibilidad de muestras |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Nuevo módulo HVIGBT doble de la serie X |
LV100 | 6 kV | 1,7 kV | 900 A | 2 en 1 | Ancho: 100 mm x Profundidad: 140 mm x Alto: 40 mm |
2018 o posterior |
| 3,3 kV | 450 A | Marzo de 2017 | |||||
| HV100 | 10 kV | 3,3 kV | 450 A | 2018 o posterior | |||
| 4,5 kV | 330 A | ||||||
| 6,5 kV | 225 A |
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