PARA PUBLICACIÓN INMEDIATA N.º 3016
Mitsubishi Electric ampliará la línea de la serie T del módulo IGBT con el IGBT de séptima generación
17 nuevos modelos podrán satisfacer mejor la demanda de equipos industriales altamente fiables con pérdida de potencia baja
TOKIO, 30 de marzo de 2016 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKIO: 6503) ha anunciado hoy que comenzará a comercializar muestras de 17 nuevos modelos de módulos semiconductores de potencia de la serie T que incluyen transistores bipolares de puerta aislada de séptima generación (IGBT). Los nuevos módulos tienen una potencia nominal de 1,7 kV y mejoran la pérdida de potencia y la fiabilidad para inversores de uso general, suministros de alimentación ininterrumpida (UPS), sistemas fotovoltaicos (PV), sistemas de generación de energía eólica y otros equipos industriales. Los envíos de las muestras comenzarán el 30 de septiembre.
Los módulos se expondrán en las ferias comerciales más importantes, que incluyen MOTORTECH JAPAN 2016 durante la TECHNO-FRONTIER 2016 de Japón del 20 al 22 de abril; Power Conversion Intelligent Motion (PCIM) Europe 2016 en Núremberg, Alemania, del 10 al 12 de mayo, y PCIM Asia 2016 en Shanghái, China, del 28 al 30 de junio.
Paquete de pin de soldadura de tipo NX
Paquete de pin de ajuste a presión de tipo NX
Paquete de tipo estándar
Características del producto
- 1)
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La línea ampliada de 17 modelos con potencia nominal de 1,7 kV proporciona una amplia gama de capacidad del inversor
-Los nuevos modelos incluyen 12 tipos NX (seis con paquete de pin de soldadura y seis con pin de ajuste a presión) con corrientes nominales que van desde 100 A a 600 A y cinco modelos de paquete estándar de 75 A a 300 A.
-Proporciona inversores de sistema AC690V/DC1000V y una amplia gama de capacidad del inversor.
- 2)
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Pérdida de potencia reducida gracias al IGBT y al diodo de séptima generación
-El chip CSTBTTM1 de 1,7 kV de potencia nominal de séptima generación logra una pérdida de potencia y un ruido EMI bajos.
-El chip de diodo (RFC, del inglés Relaxed Field of Cathode)2 incorpora un nuevo proceso de difusión trasera que logra una pérdida de potencia baja y una supresión de la sobrecarga de tensión de recuperación.
1 Construcción del chip IGBT original de Mitsubishi Electric que incorpora un efecto de almacenamiento de portadoras
2 El agente se añade parcialmente en el lado del cátodo y el agujero se inyecta durante el plazo de recuperación para suavizar la forma de onda de recuperación
- 3)
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La última tecnología de paquete mejora la fiabilidad del paquete estándar de facto
-Se ha mejorado la estructura interna manteniendo la compatibilidad con el paquete estándar de facto.
-La integración de aislamiento y la base de cobre en el substrato, junto con la construcción mejorada del electrodo interno, ayudan a aumentar la vida del ciclo térmico3 y a reducir la inductancia interna, lo que se traduce en un rendimiento del equipo más fiable.
3 La vida probada en una prueba de estrés del ciclo térmico relativamente prolongado entre dos temperaturas de caso
| Paquete | Tensión nominal | Corriente nominal | Envío |
|---|---|---|---|
| Paquete de pin de soldadura de tipo NX |
1,7 kV | 100, 150, 225, 300, 450, 600 A | Desde el 30 de septiembre |
| Paquete de pin de ajuste a presión de tipo NX |
100, 150, 225, 300, 450, 600 A | ||
| Paquete de tipo estándar |
75, 100, 150, 200, 300 A |
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