PARA PUBLICACIÓN INMEDIATA N.º 2978

Mitsubishi Electric ampliará la línea de transistores GaN-HEMT con banda de 3,5 GHz para estaciones de transceptores base de comunicación móvil 4G

Los nuevos productos son compatibles con las BTS de macro y microcélulas

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TOKIO, 22 de diciembre de 2015- Mitsubishi Electric Corporation ha anunciado hoy que ampliará su línea de transistores de alta movilidad de electrones de nitruro de galio (GaN-HEMT) para su uso en estaciones de transceptores base (BTS) que operen en la banda de 3,5 GHz de los sistemas de comunicación móviles de cuarta generación (4G). Los cuatro nuevos GaN-HEMT ofrecen niveles de potencia de salida y de eficiencia que se encuentran entre los más altos disponibles actualmente según una investigación de la empresa realizada a fecha de 22 de diciembre. Las muestras se lanzarán a partir del 1 de febrero.

(Desde la izquierda) GaN-HEMT MGFS53G38ET1, MGFS50G38ET1, MGFS38G38L2 y MGFS37G38L2 para el uso de BTS de comunicación móvil 4G de 3,5 GHz

(Desde la izquierda) GaN-HEMT MGFS53G38ET1, MGFS50G38ET1, MGFS38G38L2 y MGFS37G38L2 para el uso de BTS de comunicación móvil 4G de 3,5 GHz

Como resultado de la implantación de la evolución a largo plazo (LTE) y de las redes móviles LTE-Advanced, están aumentando las necesidades de BTS que puedan ofrecer un mayor volumen de datos, un menor tamaño y un menor consumo de energía. En respuesta a ello, Mitsubishi Electric ha desarrollado los nuevos GaN-HEMT diseñados para utilizarse en BTS macrocelulares y en grandes números de microcélulas que los operadores de redes móviles están empleando para aumentar la capacidad de datos de sus redes 4G avanzadas construidas con las tecnologías LTE y LTE-Advanced.

En el futuro, Mitsubishi Electric continuará ampliando su línea de GaN-HEMT para su uso en diferentes potencias de salida y frecuencias, y en los sistemas de comunicación móvil posteriores a la 4G.

Características del producto

1) Línea de productos ampliada

-Paquete de cerámica sin pestañas en los modelos de 180 W y 90 W para BTS macrocelulares
-Paquete moldeado de plástico en los modelos de 7 W y 5 W para BTS microcelulares

2) GaN-HEMT y optimización de transistores para una alta eficiencia

-Una alta eficiencia ayuda a reducir el tamaño y el consumo de energía de las BTS
-El modelo de 90 W para BTS macrocelulares logra una alta eficiencia de drenaje (arrastre de carga) del 74 %
-Los modelos de 7 W y 5 W para BTS microcelulares logran una alta eficiencia de drenaje del 67 %
-Una alta eficiencia permite la utilización del sistema de refrigeración simple, lo que contribuye a un tamaño menor y un consumo reducido de energía de las BTS

3) Reducción del tamaño

- El paquete de cerámica sin pestañas reduce el tamaño de los dispositivos y de los módulos de amplificador de potencia en los que se implantan

Tenga en cuenta que la precisión de las notas de prensa corresponde a la fecha de publicación, pero dichas notas están sujetas a modificaciones sin previo aviso.