PARA PUBLICACIÓN INMEDIATA N.º 2960
Mitsubishi Electric lanzará el módulo HVIGBT de la serie X
Potencia líder en el sector y rango de temperaturas de funcionamiento para los sistemas de inversores más pequeños y de más alta capacidad
TOKIO, 29 de septiembre de 2015- Mitsubishi Electric Corporation ha anunciado hoy el lanzamiento de un módulo HVIGBT de 6,5 kV/1000 A de la serie X que ofrece la mayor capacidad y las temperaturas de funcionamiento más altas del sector a 150 grados centígrados. La reducción de las pérdidas de inversores y la mejora del rango de temperaturas de funcionamiento lo hacen ideal para su uso en sistemas de convertidores de alta tensión, que incluyen aplicaciones de tracción y energía eléctrica. Las ventas comenzarán el 30 de noviembre.
Módulo HVIGBT de 6,5 kV/1000 A de la serie X
Los módulos de alta potencia son clave para los sistemas de potencia que requieren una gran capacidad, alta fiabilidad y eficiencia extraordinaria. Mitsubishi Electric comercializó su primer módulo HVIGBT en 1997, lo que contribuyó a una mayor capacidad y a la miniaturización de los sistemas de convertidores de alta tensión. Para lograr una mayor corriente de salida y un diseño fiable, Mitsubishi Electric ha desarrollado el módulo HVIGBT de la serie X con el transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) y el chip de diodo (RFC).
Características del producto
- 1)
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Potencia de 6,5 kV/1000 A líder en el sector para una mayor capacidad
- Mayor corriente de salida con el mismo tamaño que módulos anteriores
- Chip CSTBT*TM de séptima generación y chip de diodo RFC que reducen la pérdida de potencia en aproximadamente un 20 % y la resistencia térmica en un 10 % en comparación con el módulo HVIGBT existente (CM750HG-130R)
*Construcción del chip original IGBT de Mitsubishi Electric que incorpora un efecto de almacenamiento de portadoras
- 2)
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Rango ampliado de temperaturas de funcionamiento para los sistemas más pequeños
-Temperatura de funcionamiento máxima de 150 grados centígrados, la primera del mundo para la clase de 6,5 kV
-Chip CSTBT*TM de séptima generación y chip de diodo RFC y tecnología de paquete mejorada que posibilita sistemas de inversores más pequeños con una amplia SOA
- 3)
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Paquete compatible para un diseño simplificado y una sustitución sencilla
-Permite la utilización del sistema de inversores para reducir el plazo de desarrollo
-Perfil y diseño terminal compatible con el módulo HVIGBT existente (CM600HG-130H, CM750HG-130R)
| Modelo | Especificación | Envío |
| CM1000HG-130XA | Módulo IGBT de 6,5 kV/1000 A 1 en 1 | 30 de noviembre de 2015 |
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