النشرات الإخبارية
إن هذا النص ترجمة للنص الإنجليزي الرسمي لهذا الإصدار الجديد، وقد تم تزويده للرجوع إليه بسهولة عند الحاجة. يرجى الرجوع إلى النص الإنجليزي الأصلي للحصول على التفاصيل و/أو المواصفات الخاصة. في حال وجود أي تعارض، فيجب اتباع محتوى الإصدار الإنجليزي الأصلي.
بالنسبة للنشرة الفورية رقم ٣٣٧٢
طوكيو، ١٥ سبتمبر ٢٠٢٠ - أعلنت شركة Mitsubishi Electric (طوكيو: ٦٥٠٣) اليوم عن إطلاقها القادم للجيل الثاني من وحدات أشباه موصل الطاقة المصنوعة بالكامل من كربيد السيليكون (SiC) التي تتميز بشريحة كربيد السيليكون التي تم تطويرها حديثًا للاستخدام الصناعي. من المتوقع أن تعمل خصائص فقدان الطاقة المنخفضة وتشغيل التردد المرتفع للحامل١ الخاص بترانزستور تأثير المجال المصنوع من أشباه الموصلات ذات الأكسيد المعدني (SiC-MOSFET) من كربيد السيليكون (SiC) وشرائح صمام شوتكي الحاجز المصنوعة من كربيد السيليكون (SiC-SBD) في الوحدات على تسهيل تطوير معدات أكثر كفاءة، وأصغر وأخف وزنًا للاستخدام في العديد من المجالات الصناعية. ستبدأ المبيعات في يناير ٢٠٢١.
١٢٠٠ فولت/٦٠٠ أمبير، ٨٠٠ أمبير، ٢ في ١، ١٧٠٠ فولت/٣٠٠ أمبير، ٢ في ١، محول تيار مستمر إلى متردد، دائرة وقت التحكم الفعلي (RTC) مضمنة
١٢٠٠ فولت/٣٠٠ أمبير، ٤٠٠ أمبير، ٤ في ١، دائرة وقت التحكم الفعلي (RTC) مضمنة
١٢٠٠ فولت/١٢٠٠ أمبير، ٢ في ١، دائرة وقت التحكم الفعلي (RTC) مضمنة
١٢٠٠ فولت/٤٠٠ أمبير، ٤ في ١، ١٢٠٠ فولت/٨٠٠ أمبير، ٢ في ١
تجدر الإشارة إلى أن النشرات الإخبارية دقيقة في وقت نشرها لكنها قد تكون عرضة للتغيير من دون إشعار.