النشرات الإخبارية

شركة MITSUBISHI ELECTRIC ستقوم بإطلاق الجيل الثاني من وحدات أشباه موصل الطاقة المصنوعة بالكامل من كربيد السيليكون (SiC)

سيساهم هذا في وجود معدات إلكترونية للطاقة أكثر كفاءة وأصغر وأخف وزنًا

إن هذا النص ترجمة للنص الإنجليزي الرسمي لهذا الإصدار الجديد، وقد تم تزويده للرجوع إليه بسهولة عند الحاجة. يرجى الرجوع إلى النص الإنجليزي الأصلي للحصول على التفاصيل و/أو المواصفات الخاصة. في حال وجود أي تعارض، فيجب اتباع محتوى الإصدار الإنجليزي الأصلي.

بالنسبة للنشرة الفورية رقم ٣٣٧٢

طوكيو، ١٥ سبتمبر ٢٠٢٠ - أعلنت شركة Mitsubishi Electric (طوكيو: ٦٥٠٣) اليوم عن إطلاقها القادم للجيل الثاني من وحدات أشباه موصل الطاقة المصنوعة بالكامل من كربيد السيليكون (SiC) التي تتميز بشريحة كربيد السيليكون التي تم تطويرها حديثًا للاستخدام الصناعي. من المتوقع أن تعمل خصائص فقدان الطاقة المنخفضة وتشغيل التردد المرتفع للحامل١ الخاص بترانزستور تأثير المجال المصنوع من أشباه الموصلات ذات الأكسيد المعدني (SiC-MOSFET) من كربيد السيليكون (SiC) وشرائح صمام شوتكي الحاجز المصنوعة من كربيد السيليكون (SiC-SBD) في الوحدات على تسهيل تطوير معدات أكثر كفاءة، وأصغر وأخف وزنًا للاستخدام في العديد من المجالات الصناعية. ستبدأ المبيعات في يناير ٢٠٢١.

  1. ١التردد الذي يحدد توقيت تشغيل/إيقاف تشغيل عنصر التحويل في الدائرة العاكسة
  • ١٢٠٠ فولت/٦٠٠ أمبير، ٨٠٠ أمبير، ٢ في ١، ١٧٠٠ فولت/٣٠٠ أمبير، ٢ في ١، محول تيار مستمر إلى متردد، دائرة وقت التحكم الفعلي (RTC) مضمنة

  • ١٢٠٠ فولت/٣٠٠ أمبير، ٤٠٠ أمبير، ٤ في ١، دائرة وقت التحكم الفعلي (RTC) مضمنة

  • ١٢٠٠ فولت/١٢٠٠ أمبير، ٢ في ١، دائرة وقت التحكم الفعلي (RTC) مضمنة

  • ١٢٠٠ فولت/٤٠٠ أمبير، ٤ في ١، ١٢٠٠ فولت/٨٠٠ أمبير، ٢ في ١

ميزات المنتج

  1. ١)سيسهل وجود معدات صناعية أكثر كفاءة وأصغر وأخف وزنًا
    • تقلل تقنية التنشيط باستخدام الترانزستور ذي التأثير الميداني (JFET)٢ من المقاومة بحوالي ١٥% مقارنةً بمنتجات SiC التقليدية٣.
    • يعمل تقليل السعة الكهربائية العاكسة٤ على تمكين التحويل السريع وتقليل فقد التحويل.
    • تساعد وحدات SiC-MOSFET وSiC-SBD المدمجة على تقليل فقد الطاقة بنسبة ٧٠٪ تقريبًا مقارنةً بوحدات ترانزستور ثنائي القطب ذي البوابة المعزولة من السيليكون (Si-IGBT) التقليدية من Mitsubishi Electric.
    • سيعمل تقليل فقد الطاقة وتشغيل التردد العالي للحامل على تطوير مكونات خارجية أصغر حجمًا وأخف وزنًا، مثل المفاعلات والمبردات.
    1. ٢يزيد من كثافة الجهاز عن طريق زيادة كثافة الشوائب في منطقة JFET
    2. ٣وحدات SiC من الجيل الأول من Mitsubishi Electric (بالتصنيف ذاته) للاستخدام الصناعي
    3. ٤٤ المواسعة الشاردة بين البوابة والمصب في هيكل MOSFET (Crss) التي تؤثر على وقت التحويل
  2. ٢)تعمل دائرة التحكم في الوقت الفعلي (RTC) على موازنة أداء دائرة القصر وانخفاض المقاومة
    • تم تحقيق أداء دائرة القصر الآمن ومواصفات انخفاض المقاومة بفضل دائرة الوقت الفعلي (RTC)٥ لمنع التيار الزائد أثناء دوائر القصر.
    • في حالة وجود دائرة القصر، يقوم بحظر التيار الزائد عن الحد بأمان من دائرة حماية خارجية عن طريق مراقبة الإشارة التي تكتشف دائرة القصر.
    1. ٥باستثناء طراز FMF400BX-24B وطراز FMF800DX-24B
  3. ٣)تصميم مُحسّن للشريحة الداخلية للتبديد الحراري المُحسّن
    • يساعد الوضع غير المركزي والمُحسّن لشرائح Sic-MOSFET وشرائح Sic-SBD داخل الوحدات على تحسين تبديد الحرارة، وبالتالي السماح باستخدام مبردات أصغر أو بدون مروحة.

ملاحظة

تجدر الإشارة إلى أن النشرات الإخبارية دقيقة في وقت نشرها لكنها قد تكون عرضة للتغيير من دون إشعار.


الاستفسارات

جهة الاتصال الإعلامية

استفسارات العملاء