النشرات الإخبارية

شركة Mitsubishi Electric تطلق ترانزستور تأثير المجال المصنوع من أشباه الموصلات ذات الأكسيد المعدني وكربيد السيليكون (SiC-MOSFET) فئة N بقوة ١٢٠٠ واطاستهلاك مخفض للطاقة وتصغير حجم أنظمة الإمداد بالطاقة، مثل شواحن السيارات الكهربائية وأنظمة الطاقة الكهروضوئية

إن هذا النص ترجمة للنص الإنجليزي الرسمي لهذا الإصدار الجديد، وقد تم تزويده للرجوع إليه بسهولة عند الحاجة. يرجى الرجوع إلى النص الإنجليزي الأصلي للحصول على التفاصيل و/أو المواصفات الخاصة. في حال وجود أي تعارض، فيجب اتباع محتوى الإصدار الإنجليزي الأصلي.

بالنسبة للنشرة الفورية رقم ٣٣٦١

طوكيو، ١٦ يونيو ٢٠٢٠ - أعلنت شركة Mitsubishi Electric (طوكيو: ٦٥٠٣) اليوم عن إطلاق ترانزستور تأثير المجال المصنوع من أشباه الموصلات ذات الأكسيد المعدني وكربيد السيليكون (SiC-MOSFET) فئة N بقوة ١٢٠٠ واط، والذي يتميز بتوفيره للطاقة وقدرته العالية1 على التشغيل الذاتي. سوف تساعد هذه الفئة الجديدة على تقليل استهلاك الطاقة وتصغير حجم أنظمة الإمداد بالطاقة التي تتطلب تحويل الفولتية العالية، مثل شواحن السيارات الكهربائية (EV)، وأنظمة الطاقة الكهروضوئية والمزيد. ستبدأ عملية إرسال الشحنات التجريبية في شهر يوليو.

ستعرض شركة Mitsubishi Electric ترانزستور تأثير المجال المصنوع من أشباه الموصلات ذات الأكسيد المعدني وكربيد السيليكون (SiC-MOSFET) فئة N بقوة ١٢٠٠ واط الجديد في المعارض التجارية الرئيسية، ومن ضمنها معرض "PCIM آسيا ٢٠٢٠" في شنغهاي بالصين والذي سيقام في الفترة من ١٦ إلى ١٨ نوفمبر.

  1. 1 مواسعة المدخل/المواسعة المعاكسة (Ciss/Crss)، كما تم قياسها بواسطة شركة Mitsubishi Electric

ترانزستور تأثير المجال المصنوع من أشباه الموصلات ذات الأكسيد المعدني وكربيد السيليكون (SiC-MOSFET) فئة N بقوة ١٢٠٠ واط

ميزات المنتج

  1. 1)يؤدي إلى توفير الطاقة وتصغير حجم أنظمة الإمداد بالطاقة
    • تقلل تقنية الإشابة للترانزستور الوصلي تأثيري المجال (JFET) من كل من معدل فقدان الطاقة أثناء التحويل والمقاومة أثناء التشغيل، مما يؤدي إلى تحقيق رقم استحقاق (FOM3) رائد في مجاله2 يبلغ ١٤٥٠ mΩ·nC. يقل استهلاك الطاقة في أنظمة الإمداد بالطاقة بنسبة ٨٥% تقريبًا مقارنةً باستخدام الترانزستورات التقليدية ثنائية القطبية ذات البوابة المعزولة المصنوعة من السيليكون (Si-IGBTs).
    • من خلال تقليل المواسعة المعاكسة4، تتحسن قابلية التشغيل الذاتي بمقدار ١٤ مرة مقارنةً بمنتجات الشركات المنافسة. ويؤدي ذلك إلى إمكانية تحقيق عمليات تبديل سريعة والمساعدة على تخفيض معدل فقدان الطاقة أثناء التحويل.
    • إن انخفاض معدل فقدان الطاقة أثناء التحويل يؤدي إلى تقليص حجم أنظمة التبريد وتبسيطها، فضلاً عن تقليص حجم المكونات الطرفية، مثل المفاعل من خلال تشغيل أشباه موصلات الطاقة بتردد أعلى للحامل5، ويساعد ذلك على خفض التكاليف الخاصة بأنظمة الإمداد بالطاقة بأكملها وجعلها أصغر حجمًا.
    1. 2 اعتبارًا من ١٦ يونيو، ٢٠٢٠ وفقًا للأبحاث التي أجرتها شركة Mitsubishi Electric
    2. 3 مؤشر أداء ترانزستور تأثير المجال المصنوع من أشباه الموصلات ذات الأكسيد المعدني، يتم حسابه بضرب المقاومة أثناء التشغيل في الشحنة بين البوابة والمصب (درجة حرارة الوصلة ١٠٠ درجة مئوية). كلما قلت القيم تحسن الأداء
    3. 4المواسعة الشاردة بين البوابة والمصب في هيكل ترانزستور تأثير المجال المصنوع من أشباه الموصلات ذات الأكسيد المعدني (Crss)
    4. 5التردد الذي يحدد توقيت تشغيل/إيقاف تشغيل عنصر التحويل في الدائرة العاكسة
  2. 2)ستة طرازات صالحة للاستخدام في مختلف التطبيقات بما في ذلك طرازات متوافقة مع معايير AEC-Q101
    • تتضمن مجموعة المنتجات طرازات تتوافق مع معايير مجلس إلكترونيات السيارات AEC-Q101. لذلك، فإن ترانزستور تأثير المجال المصنوع من أشباه الموصلات ذات الأكسيد المعدني وكربيد السيليكون (SiC-MOSFET) فئة N ليس صالحًا للاستخدام فقط في التطبيقات الصناعية مثل الأنظمة الكهروضوئية، بل يمكن استخدامه أيضًا في شواحن السيارات الكهربائية (EV).

جدول المبيعات

المنتج المعايير الطراز VDS RDS(on)_typ. IDmax@25°C الحزمة توفر
النماذج
SiC-MOSFET AEC-Q101 BM080N120SJ ١٢٠٠ فولت ٨٠ ملي Ω ٣٨ أمبير TO-247-3 يوليو ٢٠٢٠
BM040N120SJ ٤٠ ملي Ω ٦٨ أمبير
BM022N120SJ ٢٢ مليΩ ١٠٢ أمبير
— BM080N120S ٨٠ ملي Ω ٣٨ أمبير
BM040N120S ٤٠ ملي Ω ٦٨ أمبير
BM022N120S ٢٢ مليΩ ١٠٢ أمبير

ملاحظة

تجدر الإشارة إلى أن النشرات الإخبارية دقيقة في وقت نشرها لكنها قد تكون عرضة للتغيير من دون إشعار.

الاستفسارات

جهة الاتصال الإعلامية

استفسارات العملاء