PARA LANÇAMENTO IMEDIATO N.º 3104

Este texto é uma tradução da versão em inglês oficial deste comunicado de imprensa, sendo fornecido apenas para referência e conveniência. Consulte a versão em inglês original para obter detalhes e/ou informações específicas. Em caso de discrepância, prevalecerá o conteúdo da versão em inglês original.

A Mitsubishi Electric vai lançar módulos HVIGBT da série X do tipo LV100

A densidade de corrente topo de gama irá aumentar a saída de potência nos sistemas de inversores

Versão em PDF

TÓQUIO, 11 de maio de 2017 - A Mitsubishi Electric Corporation (TÓQUIO: 6503) anunciou hoje que lançou em setembro, de forma sequencial, dois novos módulos HVIGBT da série X do tipo LV100. Estes módulos irão oferecer a maior densidade de corrente disponível no mercado e permitir que os sistemas de inversores alcancem uma saída de potência e eficiência superiores, bem como configurações mais flexíveis e maior fiabilidade. Além disso, está planeado o alargamento da linha de módulos SiC. Os módulos HVIGBT da Mitsubishi Electric desempenham um papel vital no controlo da conversão de energia em sistemas eletrónicos industriais de caminhos-de-ferro, transmissão de potência e outras aplicações industriais de grandes dimensões.

Os novos módulos estarão em exibição nas feiras comerciais Power Conversion and Intelligent Motion (PCIM) Europe 2017, em Nuremberga, na Alemanha, entre 16 e 18 de maio, e na PCIM Asia 2017, em Xangai, na China, de 27 a 29 de junho.

Módulo HVIGBT da série X do tipo LV100

Calendário de vendas

Produto Modelo Especificações Envio
Módulo HVIGBT
da série X
do tipo LV100
CM450DA-66X 3,3 kV / 450 A / 2 em 1 A partir de setembro de 2017
CM600DA-66X 3,3 kV / 600 A / 2 em 1

Funcionalidades do produto

1)
Densidade de corrente líder do setor que proporciona um aumento de capacidade
- Os IGBT de sétima geração com díodos CSTBT e RFC conseguem a maior densidade de corrente de 8,57 A/cm² de entre os módulos Si do setor <3,3 kV/600 A>
- Três terminais principais de CA alastram e equalizam a densidade de corrente de forma a aumentar a capacidade dos inversores
2)
A ligação em paralelo é fácil e permite configurações e capacidades flexíveis
-A organização do terminal foi idealizada para proporcionar ligações em paralelo fáceis e configurações e capacidades dos inversores flexíveis
3)
A nova estrutura permite maior fiabilidade
- A integração da placa de isolamento e do dissipador térmico aumenta a vida útil do ciclo térmico em aplicações de ciclo térmico num período relativamente longo de temperaturas do invólucro
- A redução da resistência térmica aumenta a vida útil do ciclo de energia em aplicações de ciclo térmico num período relativamente curto de temperaturas do chip

Tenha em atenção que as informações apresentadas são válidas no momento da publicação, mas podem estar sujeitas a alterações sem aviso prévio.