PARA LANÇAMENTO IMEDIATO n.º 3085
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Reduz a perda de energia e as dimensões físicas de sistemas de fornecimento de energia
TÓQUIO, 1 de março de 2017 – A Mitsubishi Electric Corporation (TÓQUIO: 6503) anunciou hoje, com efeito imediato, o lançamento de um díodo de barreira Schottky de carboneto de silício (SiC-SBD), que incorpora uma estrutura de barreira Schottky com junção (JSB) para reduzir a perda de energia e as dimensões físicas de sistemas de fornecimento de energia para ares condicionados, sistemas de energia fotovoltaica e muito mais.
Série | Modelo | Conjunto | Especificações | Envio |
---|---|---|---|---|
SiC-SBD | BD20060T | TO-220 | 20 A/600 V | 1 de março de 2017 |
BD20060S | TO-247 | 1 de setembro de 2017 |
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