PARA LANÇAMENTO IMEDIATO n.º 3085

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A Mitsubishi Electric vai lançar um díodo de barreira Schottky de carboneto de silício

Reduz a perda de energia e as dimensões físicas de sistemas de fornecimento de energia

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TÓQUIO, 1 de março de 2017 – A Mitsubishi Electric Corporation (TÓQUIO: 6503) anunciou hoje, com efeito imediato, o lançamento de um díodo de barreira Schottky de carboneto de silício (SiC-SBD), que incorpora uma estrutura de barreira Schottky com junção (JSB) para reduzir a perda de energia e as dimensões físicas de sistemas de fornecimento de energia para ares condicionados, sistemas de energia fotovoltaica e muito mais.

SiC-SBD (BD20060T)

SiC-SBD (BD20060S)

Funcionalidades do produto

1)
O carboneto de silício contribui para um baixo consumo de energia e dimensões menores
- A conversão melhorada de energia traduz-se em 21% menos de perda de energia em comparação com produtos fabricados a partir de silício (Si)
- Permite a comutação a alta velocidade e a redução das dimensões de componentes periféricos, como reatores
2)
Maior fiabilidade graças à estrutura de barreira Schottky com junção (JBS)
- Combinação de uma barreira Schottky com uma junção p-n
- A estrutura JBS permite atingir uma elevada fiabilidade

Calendário de vendas

Série Modelo Conjunto Especificações Envio
SiC-SBD BD20060T TO-220 20 A/600 V 1 de março de 2017
BD20060S TO-247 1 de setembro de 2017

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