Dispositivos eletrónicos

Módulos de potência, dispositivos de alta frequência, dispositivos óticos, dispositivos LCD, entre outros

IPM da série G1 com IGBT de 7.ª geração

Graças aos mais recentes chips IGBT1, o IPM2 da série G1 reduz as dimensões e o consumo de energia dos equipamentos industriais, como, por exemplo, inversores de utilização geral, servo-amplificadores e elevadores, proporcionando ao mesmo tempo uma maior fiabilidade. A linha de 52 produtos em 6 categorias faz com que a série G1 seja a melhor escolha para uma grande variedade de utilizações e necessidades de equipamento industrial.

1.
IGBT: Transístor bipolar de porta isolada
2.
IPM: Módulo de potência inteligente

DIPIPM Super-mini totalmente em carboneto de silício (SiC)

O recém-desenvolvido SiC1-MOSFET2 reduz o consumo de energia em cerca de 75% em comparação com os modelos anteriores3, o que significa que o DIPIPM4™ Super-mini totalmente em carboneto de silício (SiC) oferece o consumo de energia mais baixo da indústria5, contribuindo desta forma para uma crescente eficiência energética durante todo o ano de sistemas de ar condicionado economizadores de energia.

1.
SiC: Carboneto de silício
2.
MOSFET: Transístor de efeito de campo de semicondutor de óxido metálico
3.
DIPIPM Super-mini Ver. 6 (produto Si) PSS15S92F6 (15 A/600 V)
4.
DIPIPM: Módulo inteligente de potência com invólucro duplo
5.
À data de 17 de agosto de 2016, com base na pesquisa interna

GaN HEMT de banda Ku para estações terrestres de comunicação via satélite

Com uma potência de saída líder no setor1 de 100 W, o GaN2 HEMT3 foi possível graças à otimização da estrutura dos transístores, reduzindo o número de componentes do amplificador de potência e permitindo estações terrestres mais pequenas. Oferece uma gama de produtos que utilizam um amplificador de potência existente como um andar excitador de alto rendimento e que podem ser configurados com produtos da Mitsubishi Electric para satisfazer as necessidades diversificadas das estações terrestres de comunicação via satélite de banda Ku4.

1.
À data de 27 de setembro de 2016, com base na pesquisa interna de GaN HEMT para estações terrestres de comunicação via satélite de banda Ku
2.
GaN: Nitreto de gálio
3.
HEMT: Transístor de elevada mobilidade de eletrões
4.
Banda Ku: Micro-ondas a frequências entre 12 GHz e 18 GHz

Díodo de laser vermelho de 639 nm de alta potência para projetores

Com uma estrutura epitaxial e tamanho de emissor otimizados, o díodo de laser vermelho de 639 nm de alta potência produz uma potência de saída em onda contínua líder no setor1 de 2,1 W e uma eficiência de conversão de alta potência de 41%2, facilitando a comercialização de grandes projetores que requerem um brilho elevado.

1.
À data de 14 de dezembro de 2016, com base na pesquisa interna
2.
A uma temperatura da estrutura de 25 °C, potência de saída em onda contínua de 2,1 W

Módulos de TFT-LCD com painéis táteis para uso industrial (VGA de 6,5 polegadas, SVGA/XGA de 8,4 polegadas, WXGA de 10,6 polegadas)

Estes painéis táteis capacitivos e projetados contam com um vidro protetor com 5 mm de espessura, suportam até 10 toques em simultâneo e podem ser utilizados mesmo com luvas espessas resistentes ao calor ou com o ecrã molhado. São ideais para utilizações no exterior que requerem resistência ao impacto e à água.

Módulos de TFT-LCD a cores da série resistente para uso industrial (WVGA de 7 polegadas/8 polegadas)

Estes módulos da série resistente contam com uma resistência a vibrações aproximadamente sete vezes superior à dos módulos convencionais (6,8 G), uma vasta gama de temperaturas de funcionamento (-40 °C a 85 °C) e um ângulo de visualização ultra amplo (170° a partir de qualquer ângulo) para responderem à tendência de serem utilizados em ambientes agressivos, como nas máquinas de construção, máquinas agrícolas e ferramentas para máquinas que requerem ecrãs multifuncionais de alta qualidade.