Dispositivi elettronici

Moduli di potenza, dispositivi ad alta frequenza, dispositivi ottici, dispositivi LCD e altro

Serie IPM G1 con IGBT di settima generazione

Grazie ai più recenti chip IGBT1, la serie IPM2 G1 consente di realizzare macchine industriali, tra cui inverter multiuso, servoamplificatori e ascensori caratterizzate da un minor consumo energetico, minori dimensioni e un'affidabilità superiore. Con una linea di 52 prodotti divisi in 6 categorie, la serie G1 è la scelta migliore per un'ampia gamma di applicazioni e apparecchiature industriali.

1.
IGBT: Insulated Gate Bipolar Transistor, transistor bipolare a gate isolato
2.
IPM: Intelligent Power Module, modulo di potenza intelligente

Moduli completi SiC DIPIPM super-mini

Il nuovissimo SiC1-MOSFET2 riduce il consumo energetico di circa il 75% rispetto ai modelli precedenti3, il che significa che il modulo completo SiC DIPIPM4™ super-mini vanta il consumo energetico più basso del settore5, contribuendo ad aumentare l'efficienza annuale dei condizionatori d'aria a basso consumo.

1.
SiC: Carburo di silicio
2.
MOSFET: Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, transistor metallo-ossido-semiconduttore a effetto di campo
3.
DIPIPM super-mini serie Ver. 6 (prodotto Si) PSS15S92F6 (15A /600V)
4.
DIPIPM: Dual In-Line Package Intelligent Power Module, modulo di potenza intelligente DIP
5.
Al 17 agosto 2016, in base a ricerche interne

GaN-HEMT in banda Ku per stazioni satellitari terrestri

Si è ottenuta una potenza di uscita leader del settore1 pari a 100W GaN2 HEMT3 ottimizzando la struttura del transistor, riducendo il numero di componenti dell'amplificatore di potenza e aprendo la strada a stazioni satellitari terrestri di dimensioni ridotte. E’ offerta una gamma di prodotti che sfruttano un amplificatore di potenza preesistente come stadio pilota ad alto rendimento, configurabili con prodotti Mitsubishi Electric per rispondere alle necessità delle stazioni satellitari terrestri in banda Ku4.

1.
Al 27 settembre 2016, in base a ricerche interne su GaN-HEMT in banda Ku per stazioni satellitari terrestri
2.
GaN: Nitruro di gallio
3.
HEMT: High Electron Mobility Transistor, transistor ad effetto di campo ad alta mobilità elettronica
4.
Banda Ku: Microonde a una frequenza compresa tra 12 GHz e 18 GHz

Diodo laser ad alta potenza per proiettori a luce rossa da 639 nanometri

Grazie alla struttura epitassiale ottimizzata e alle dimensioni dell'emettitore, il diodo laser ad alta potenza per proiettori a luce rossa da 639 nanometri produce una potenza senza precedenti1 a emissione continua di lunghezza d'onda di 2,1 W e un'elevata conversione di potenza del 41%2, favorendo la commercializzazione di grandi proiettori che richiedono un'elevata luminosità.

1.
Al 14 dicembre 2016, in base a ricerche interne
2.
Con una temperatura del case di 25°C, emissione continua di lunghezza d'onda di 2,1 W

Moduli TFT-LCD con pannelli touchscreen per uso industriale (VGA da 6,5 pollici, SVGA/XGA da 8,4 pollici, WXGA da 10,6 pollici)

Questi pannelli touchscreen capacitivi proiettati sono dotati di vetro protettivo con spessore fino a 5 mm, supportano fino a 10 input tattili contemporanei e possono essere utilizzati anche con guanti spessi e resistenti al calore o con lo schermo bagnato. Ideali per applicazioni all'aperto che necessitano di resistenza agli urti e all'acqua.

Moduli TFT-LCD per uso industriale a colori serie Tough (WVGA a 7,0/8,0 pollici)

Questi moduli della serie Tough sono dotati di una resistenza alle vibrazioni circa sette volte maggiore rispetto ai moduli convenzionali (6,8 G), di un range di temperatura di esercizio molto ampio (da -40°C e 85°C) e di un angolo di visione estremamente ampio (170° da tutte le angolazioni), per poter affrontare la tendenza di utilizzo in ambienti difficili, quali veicoli agricoli per l'edilizia e macchine utensili, che necessitano di display multifunzione di alta qualità.