Électronique

Modules d'alimentation, appareils haute fréquence, dispositifs optiques, appareils à écrans LCD et autres

Gamme IPM G1 avec IGBT de 7e génération

Avec les toutes dernières puces IGBT1, la gamme IPM2 G1 réduit la taille et la consommation d'énergie des équipements industriels tels que les convertisseurs à usage général, les servo-amplificateurs et les ascenseurs, tout en les rendant plus fiables. Un ensemble de 52 produits répartis en 6 catégorie fait de la gamme G1 le meilleur choix pour un large éventail d'applications et de besoins en équipements industriels.

1.
IGBT : Transistor bipolaire à porte isolée
2.
IPM : Module de puissance intelligent

Super-mini DIPIPM entièrement en carbure de silicium

Le nouveau MOSFET2 en carbure de silicium1 réduit la consommation d'énergie d'environ 75 % par rapport aux précédents modèles3, ce qui signifie que le Super-mini DIPIPM4™ entièrement en carbure de silicium offre la plus basse consommation d'énergie de l'industrie5, contribuant ainsi à améliorer tout au long de l'année le rendement énergétique des climatiseurs à économie d'énergie.

1.
SiC : Carbure de silicium
2.
MOSFET : Transistor à effet de champ métal-oxyde semiconducteur
3.
Super mini DIPIPM ver. 6 (produit en silicone) PSS15S92F6 (15 A / 600 V)
4.
DIPIPM : Module de puissance intelligent, boîtier DIP
5.
Au 17 août 2016, selon des études internes

HEMT GaN à bande Ku pour stations terrestres de télécommunication par satellite

Ce HEMT3 GaN2 doté d'une puissance de sortie de 100 W à la pointe du marché1 a été obtenu en optimisant la structure du transistor, en réduisant le nombre de composants du module d'amplification de puissance et en permettant des stations terrestres plus petites. Il offre un éventail de produits qui utilisent un module d'amplification de puissance existant comme étage de puissance de sortie qui peuvent être configurés avec des produits Mitsubishi Electric afin de répondre aux divers besoins des stations terrestres de télécommunication par satellite en bande Ku4.

1.
Au 27 septembre 2016, selon des études internes sur le HEMT GaN pour stations terrestres de télécommunication par satellite à bande Ku
2.
GaN : Nitrure de gallium
3.
HEMT : Transistor à électron à haute mobilité
4.
Bande Ku : Microondes à des fréquences entre 12 GHz et 18 GHz

Diode laser haute puissance de 639 nm pour projecteurs laser

Grâce à sa structure épitaxiale optimisée et à la taille de l'émetteur, la diode laser haute puissance de 639 nm produit une puissance de sortie de 2,1 W en continu à la pointe du marché1 et une efficacité de la conversion d'énergie de 41 %2, contribuant ainsi à la commercialisation de gros projecteurs exigeant une forte luminosité.

1.
Au 14 décembre 2016, selon des études internes
2.
Dans des conditions de température de 25 °C, puissance de sortie de 2,1 W en continu

Modules TFT-LCD avec panneaux tactiles destinés à un usage industriel (VGA 6,5 pouces, SVGA/XGA 8,4 pouces, WXGA 10,6 pouces)

Ces panneaux tactiles capacitifs projetés offrent une couche de protection de 5 mm d'épaisseur, supportent simultanément jusqu'à 10 détections tactiles et peuvent même être utilisés avec des gants résistants à la chaleur épais ou si l'écran est mouillé. Ils sont idéaux pour des applications extérieures qui exigent une résistance aux impacts et à l'eau.

Modules TFT LCD couleur série Tough à usage industriel (WVGA 7,0 pouces/8,0 pouces)

Ces modules série Tough offrent une résistance aux vibrations environ sept fois plus importantes que les modules conventionnels (6,8 G), une large plage de températures de fonctionnement (-40 °C à 85 °C) et un angle de visualisation ultra-large (170°depuis tous les angles), pour s'adapter à leur nouvelle utilisation dans des environnements accidentés, dans des engins de construction, des machines agricoles et des machines-outils, par exemple, qui exigent des écrans multifonctions de qualité supérieure.