Elektronische Geräte

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Serie IPM G1 mit IGBT der siebten Generation

Mit den aktuellsten IGBT1-Chips reduziert die Serie IPM2 G1 Größe und Energieverbrauch von Industrieanlagen wie Allzweck-Frequenzumrichtern, Servoverstärkern und Aufzügen, bietet gleichzeitig aber auch höhere Zuverlässigkeit. Ein Sortiment mit 52 Produkten in 6 Kategorien macht die Serie G1 zur besten Wahl für eine breite Palette von Anwendungen und Anforderungen an Industrieanlagen.

1.
IGBT: Insulated Gate Bipolar Transistor (Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode)
2.
IPM: Intelligent Power Module (Intelligentes Leistungsmodul)

Super-mini Full SiC DIPIPM

Das neu entwickelte SiC1-MOSFET2-Modul reduziert den Energieverbrauch um ca. 75 % im Vergleich mit früheren Modellen3. Das heißt, das Super-mini Full SiC DIPIPM4™ bietet den branchenweit niedrigsten Energieverbrauch5 und leistet damit einen Beitrag im Rahmen der zunehmenden Energieeffizienz von energiesparender Klimatechnik über das gesamte Jahr hinweg.

1.
SiC: Silicon Carbide (Siliziumkarbid)
2.
MOSFET: Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor)
3.
Super-mini DIPIPM Ver. 6 Series (Si-Produkt) PSS15S92F6 (15 A/600 V)
4.
DIPIPM: Dual-In-Line Package Intelligent Power Module (Intelligentes Dual-Inline-Package-Leistungsmodul)
5.
Stand 17. August 2016, auf Grundlage interner Forschung

Ku-band GaN HEMT für Satelliten-Bodenstationen

Eine branchenführende1 Ausgangsleistung von 100 W GaN2 HEMT3 wurde durch Optimieren der Transistorstruktur erzielt, wodurch die Anzahl der Leistungsverstärkerkomponenten reduziert und die Möglichkeit für kleinere Bodenstationen eröffnet wurde. Geboten wird eine Auswahl an Produkten, die auf einen vorhandenen Leistungsverstärker als Treiberstufe mit hoher Ausgangsleistung zugreifen und mit Produkten von Mitsubishi Electric zu konfigurieren sind, um den diversen Anforderungen von Ku-Band4-Satelliten-Bodenstationen zu entsprechen.

1.
Seit dem 27. September 2016 auf der Grundlage von internen Forschungen im Bereich von GaN HEMTs für Ku-Band-Satelliten-Bodenstationen
2.
GaN: Gallium Nitride (Gallium-Nitrid)
3.
HEMT: High Electron Mobility Transistor (Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit)
4.
Ku band (Ku-Band): Mikrowellen bei Frequenzen zwischen 12 und 18 GHz

Rote Hochleistungs-639-nm-Laserdiode für Projektoren

Die rote Hochleistungs-639-nm-Laserdiode bietet eine optimierte epitaktische Struktur und Sendergröße und produziert eine branchenführende1 CW-Ausgabe von 2,1 W und eine hohe Leistungswandlungseffizienz von 41 %2, wodurch die Vermarktung großer Projektoren unterstützt wird, die hohe Helligkeit notwendig machen.

1.
Stand 14. Dezember 2016, auf Grundlage interner Forschung
2.
Bei einer Gehäusetemperatur von 25 °C, CW-Ausgabe von 2,1 W

TFT-LCD-Module mit Touchpanels für die industrielle Anwendung (6,5-Zoll-VGA, 8,4-Zoll-SVGA/XGA, 10,6-Zoll-WXGA)

Diese projiziert-kapazitiven Touchpanels bieten Schutzglas mit einer Stärke von 5 mm, unterstützen bis zu 10 gleichzeitige Toucheingaben und können sogar mit dicken, hitzebeständigen Handschuhen oder bei Feuchtigkeit auf dem Bildschirm bedient werden. Sie eignen sich ideal für Anwendungen im Außenbereich, die auf Erschütterungsfestigkeit und wasserabweisende Eigenschaften angewiesen sind.

Farb-TFT-LCD-Module der Tough Series für industrielle Anwendung (7,0-Zoll-/8,0-Zoll-WVGA)

Diese Tough Series-Module bieten eine im Vergleich mit herkömmlichen Modulen etwa siebenfach höhere Erschütterungsfestigkeit (6,8 G), einen breiten Betriebstemperaturbereich (–40 bis 85 °C), einen extrem weiten Betrachtungswinkel (170° aus jedem Winkel). Das kommt dem Trend entgegen, diese Module in rauen Umgebungen einzusetzen, zum Beispiel in Bau- und Landmaschinen sowie Bearbeitungswerkzeugen, die auf hochwertige Mehrzweckdisplays angewiesen sind.