بالنسبة للنشرة الفورية رقم ٣١٦٤
إن هذا النص ترجمة للنص الإنجليزي الرسمي لهذا الإصدار الجديد، وقد تم تزويده للرجوع إليه بسهولة عند الحاجة. يرجى الرجوع إلى النص الإنجليزي الأصلي للحصول على التفاصيل و/أو المواصفات الخاصة. في حال وجود أي تعارض، فيجب اتباع محتوى الإصدار الإنجليزي الأصلي.
سيؤدي ذلك إلى توفير أجهزة طاقة أصغر حجمًا وأكثر كفاءة لعربات القطار وأنظمة الطاقة الكهربائية
طوكيو، ٣١ يناير ٢٠١٨ - أعلنت شركة Mitsubishi Electric Corporation (طوكيو: ٦٥٠٣) اليوم أنها قامت بتطوير وحدة أشباه موصلات الطاقة المصنوعة بالكامل من كربيد السيليكون (SiC) بكثافة ٦.٥ كيلو فولت والتي يتوقع أن تقدم أعلى معدل لكثافة الطاقة في العالم (يتم حسابها من معدل الفولتية المقدرة ومعدل التيار المقدر) بين وحدات أشباه موصلات الطاقة المصنفة من ١.٧ كيلو فولت إلى ٦.٥ كيلو فولت. وأصبح معدل كثافة الطاقة غير المسبوق هذا ممكنًا من خلال الهيكل الأصلي للطراز مع ترانزستور تأثير المجال المصنوع من أشباه الموصلات ذات الأكسيد المعدني (MOSFET) المدمج مع الصمام الثنائي على رقاقة واحدة بالإضافة إلى الطبقة المطورة حديثًا. وتتوقع شركة Mitsubishi Electric أن تؤدي الوحدة إلى توفير معدات طاقة أصغر حجمًا وموفرة للطاقة لعربات القطار وأنظمة الطاقة الكهربائية ذات الفولتية العالية. وبالمضي قدمًا، ستستمر الشركة في زيادة تطوير التقنية وإجراء المزيد من اختبارات الموثوقية.
كثافة الطاقة | فقد الطاقة | تردد التشغيل المفترض | |
---|---|---|---|
الوحدة المصنوعة من كربيد السيليكون بالكامل | ١.٨* | ١/٣ | ٤ |
وحدة IGBT المصنوعة من السيليكون التقليدي | ١** | ١ | ١ |
ملاحظة: تم تطبيع القيم إلى القيم المتوافقة مع وحدة IGBT التابعة لشركة Mitsubishi Electric المصنوعة من السيليكون التقليدي
* يتوافق مع ٩.٣ كيلو فولت أمبير/سم٣
**يتوافق مع ٥.١ كيلو فولت أمبير/سم٣
تجدر الإشارة إلى أن النشرات الإخبارية دقيقة في وقت نشرها لكنها قد تكون عرضة للتغيير من دون إشعار.